Как показала серия последних экспериментов, проводившихся учеными Калифорнийского университета с черным фосфором, данный элемент вполне подходит для применения в полупроводниках.
Эксперименты показали, что у пластины из черного фосфора, которую подвергали самым разным механическим воздействиям, в зависимости от характера воздействия изменялась ширина запрещенной зоны, в то время как длина волны в светодиодах, используемых в современных оптоэлектронных приборах, является фиксированной. Напомним, что под шириной запрещенной зоны принято понимать минимальную энергию, которая требуется для осуществления перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости.
Кроме того, элементы из черного фосфора, обладающие повышенным уровнем прочностью и отличающиеся эластичностью, способны противостоять серьезным физическим нагрузкам.