Как сообщает издание Nanowerk, японские ученые, представляющие Университет Осаки, разработали новый способ изменения поверхностной электронной структуры, позволяющий обходить естественные состояния топологического изолятора.
Японские физики установили, что топологически защищенными поверхностными состояниями можно управлять за счет изменения симметрии, при этом внутренняя структура остается в неприкосновенном состоянии. Ведущий автор исследования Ёсиюки Оцубо уточнил, что это может послужить новым методом управления топологическими электронными состояниями, имеющими особое значение для квантовых вычислений, равно как и для других инновационных технологий.
Ученым удалось доказать, что контроль над поверхностной электронной структурой и проводящими свойствами можно осуществлять при помощи методов изготовления.