Уже в 2021 году компания Shanghai Micro Electronic Equipment (SMEE) из Китая намеревается представить сканер для иммерсионной литографии в глубоком ультрафиолете.
Оборудование будет создаваться исключительно с использованием японских и китайских технологий и материалов. Разрабатываться установка будет по техпроцессу до 28 нанометров.
В Китае переход на данный техпроцесс стал настоящим прорывом. Но ряд компаний, в том числе TSMC из Тайваня, уже в 2011 году освоили его. В настоящее время установка SMEE-SSA600 производит микросхемы с техпроцессом 90 нм.
Новейшая установка будет применять аргонофторидный лазер, у которого длина волны составит 193 нм. Однако, вследствие использования жидкостной среды и некоторых других нововведений, техпроцесс будет снижен до 28 нм.